Dr. Matthias Schmidt

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Helmholtz Zentrum für Umweltforschung GmbH - UFZ
Permoserstrasse 15
04318 Leipzig

Dr. Matthias Schmidt

Über Matthias Schmidt

Ich leite die Arbeitsgruppe Hochauflösende Mikroskopie am ProVis - Zentrum für Chemische Mikroskopie und bin verantwortlich für Rasterelektronen-, Heliumionen- und konfokale Ramanmikroskopie mit dem Schwerpunkt auf korrelativer Mikroskopie an umweltmikrobiologischen Proben. Ich bin gelernter Physiker und habe nach einigen Jahren in der Halbleiterforschung eine Leidenschaft für die korrelative Mikroskopie und Mikroanalytik von (mikro-)biologischen Objekten entwickelt.


Seit Juni 2014 Leiter der AG Hochauflösende Mikroskopie am
ProVis Zentrum für Chemische Mikroskopie
Department of Isotope Biogeochemistry
Helmholtz Zentrum für Umweltforschung GmbH – UFZ
Leipzig, BRD
2013-2014 Post-Doctoral Fellow
Max-Planck Institut für Mikrostrukture Physik
Halle (Saale), BRD
2012-2013 Post-Doctoral Fellow
University of Pretoria
Department of Physics
Pretoria, South Africa.
Jan 2012 Doktorand
Universität Leipzig
Fakultät für Physik und Geowissenschaften
AG Halbleiterphysik
Leipzig, BRD
Aug - Dez 2011 Research Assistant
Universität Leipzig
Fakultät für Physik und Geowissenschaften
AG Halbleiterphysik
Leipzig, BRD
2009 - 2011 Evangelisches Studienwerk Villigst eV.
Stipendiat
2007 - 2012
Doktorand an
Universität Leipzig
Fakultät für Physik und Geowissenschaften
AG Halbleiterphysik
Leipzig, BRD
und
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Dept. of Ion-Beam Physics
Dresden, BRD
Dec 2006 Diplomarbeit
Universität Leipzig
Fakultät für Physik und Geowissenschaften
Leipzig, BRD

Mikroskopie und Mikroanalytik

  • Rasterelektronenmikroskopie, SEM (einschließlich Transmissions-SEM, Back-Scattered Electron Imaging, energiedispersive Röntgenspektroskopie)
  • Raster-Heliumionenmikroskopie, HIM ( deutschsprachiger Übersichtsartikel hier )
  • Raman-Mikro-Spektroskopie (µ-Raman)
  • optische Profilometrie
  • Präparation von mikrobiellen Proben für SEM und HIM
  • Hochauflösende Bildgebung von (mikro-)biologischen und Umweltproben mit SEM und HIM
  • Mikroanalytik von biologischen, geologischen und Bodenproben mit SEM-BSE, SEM-EDX und µ-Raman
  • Korrelative Mikroskopie
  • Bildverarbeitung (einschließlich ImageJ-Programmierung, z. B. Plug-in Correlia Correlia )

Halbleiter

  • Strom-Spannungskennlinien an Halbleiterdioden, Solarzellen und Photodetektoren
  • Raumladungszonenspektroskopie zur Defektanalyse in Halbleitern (C-V, (optische) Deep Level Transient Spectroscopy, Photostrom)

Programmierung

  • Programmiersprachen: C, C++, Java, Python3
  • Bildbearbeitung und -analyse ( Correlia )
  • Auswertesoftware Spektroskopiedaten (z.B. Proteus )
  • Simulationssoftware für Halbleiterdefektspektroskopie und Mikrobiologische Prozesse


  • Entwicklung von Heliumionenmikroskopietechniken für die Bildgebung von (mikro-)biologischen Proben
  • Bakteriophagen und bakterielle Räuber
  • mikrobielle Korrosion
  • Biolaugung und Biomineralisierung
  • Wechselwirkungen zwischen Mikroben, Pflanzen und Boden in der Rhizosphäre
  • Korrelative Mikroskopie: Entwicklung von Workflows und Software-Tools

Inhalt:

Weiterführende Recherchen können Sie in unserem Publikationsverzeichnis durchführen.

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Publikationen vor 2015


M. Schmidt, P.J. Janse van Rensburg, W.E. Meyer and F.D. Auret,
Observation of low-temperature annealing of a primary defect in gallium nitride,
Physica B 439 64 (2014)
DOI: 10.1016/j.physb.2013.11.008

M. Schmidt, H. de Meyer, P.J. Janse van Rensburg, W.E. Meyer and F.D. Auret,
Introduction and annealing of primary defects in proton-bombarded n-GaN,
Phys. Status Solidi B 251, 211 (2014)
DOI: 10.1002/pssb.201349191

W. Mtangi, M. Schmidt, F.D. Auret, W.E. Meyer, P.J. Janse van Rensburg, M. Diale, J.M. Nel, A.G.M. Das, F.C.C. Ling and A. Chawanda,
A study of the T2 defect and the emission properties of the E3 deep level in annealed melt grown ZnO single crystals,
J. Appl. Phys. 113, 124502 (2013)
DOI: 10.1063/1.4796139

M. Schmidt, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain and M. Grundmann,
On the investigation of electronic defect states in ZnO thin films by space charge spectroscopy with optical excitation
Solid-State Electron. 75, 48 (2012)

DOI: 10.1016/j.sse.2012.04.043

M. Schmidt, M. Ellguth, R. Karsthof, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, and F.C.C. Ling,
On the T2 trap in zinc oxide thin films,
Phys. Status Solidi B 249, 588 (2012)
DOI: 10.1002/pssb.201147271

M. Schmidt, K. Brachwitz, F. Schmidt, M. Ellguth, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, and W. Skorupa,
Nickel-related defects in ZnO – A deep-level transient spectroscopy and photo-capacitance study,
Phys. Status Solidi B 248, 1949 (2011)
DOI: 10.1002/pssb.201046634

Z. Zhang, H. v. Wenckstern, M. Schmidt, and M. Grundmann,
Wavelength selective metal-semiconductor-metal photodetectors based on (Mg,Zn)O-heterostructures,
Appl. Phys. Lett. 99 083502 (2011)
DOI: 10.1063/1.3628338

A. Lajn, M. Schmidt, H. v. Wenckstern,and M. Grundmann,
Transparent rectifying contacts for visible-blind ultraviolet photo diodes based on ZnO,
J. Electr. Mat. 40, 473 (2011)
DOI: 10.1007/s11664-010-1395-x

M. Ellguth, M. Schmidt, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, and M. Grundmann,
Characterization of point defects in ZnO thin films by optical deep level transient spectroscopy,
Phys. Status Solidi B 248, 941 (2011)
DOI: 10.1002/pssb.201046244

H. v. Wenckstern, K. Brachwitz, M. Schmidt, C.P. Dietrich, M. Ellguth, M. Stölzel, M. Lorenz and M. Grundmann,
The E3 defect in MgZnO,
J. Electr. Mat. 39, 584 (2010)
DOI: 10.1007/s11664-009-0967-0

J. Chai, R.J. Mendelsberg, R.J. Reeves, J. Kennedy, H. v. Wenckstern, M. Schmidt, M. Grundmann, K. Doyle, T.H. Myers, and S.M. Durbin,
Identification of a Deep Acceptor Level in ZnO due to Silver Doping,
J. Electr. Mat. 39, 577 (2010)
DOI: 10.1007/s11664-009-1025-7

M. Schmidt, M. Ellguth, F. Schmidt, T. Lüder, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, and W. Skorupa,
Defects in a nitrogen-implanted ZnO thin film,
Phys. Status Solidi B 247, 1220 (2010)
DOI: 10.1002/pssb.200945534

M. Schmidt, M. Ellguth, C. Czekalla, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, W. Skorupa, M. Helm, Q. Gu, and F.C.C. Ling,
Defects in zinc-implanted ZnO thin films,
J. Vac. Sci. Technol., B 27 1597, (2009)
DOI: 10.1116/1.3086659

M. Schmidt, R. Pickenhain, and M. Grundmann,
Exact solutions for the capacitance of space charge regions at semiconductor interfaces,
Solid-State Electron. 51, 1002 (2007)
DOI: 10.1016/j.sse.2007.04.004

Qualifikationsarbeiten


Dissertationsschrift (Universität Leipzig, 2012, Grad: "Dr. rer. nat"):

Space-Charge Spectroscopy applied to Defect Studies in Ion-Implanted Zinc Oxide Thin Films
(Raumladungszonenspektroskopiestudien an Kristalldefekten in ionenimplantierten Zinkoxyd Dünnfilmen)


Diplomarbeit (Universität Leipzig, 2006, Grad: "Diplom Physiker"):

Theoretische Untersuchungen zu Raumladungszonen an Halbleitergrenzflächen