Dr. Markus Kraus

Dr. Markus Kraus

Kontakt/Adresse

Dr. Markus Kraus
Wissenschaftlicher Mitarbeiter

Helmholtz-Zentrum
für Umweltforschung - UFZ
Permoserstr. 15
04318 Leipzig, Germany

Tel:  0341 6025 1585 (Büro)
       0341 6025 1695 (Labor)

markus.kraus@ufz.de


Die notwendige Decarbonisierung der Wirtschaft eröffnet die Möglichkeit, routinierte Prozesse völlig neu zu denken. Allen voran ist hier die Festkörpererwärmung zu nennen. Das grundlegende Ziel meiner Arbeit, das ich auf verschiedenen Ebenen verfolge, ist die Erforschung sinnvoller Einsatzmöglichkeiten der besonders schnellen und effizienten Festkörpererwärmung mittels hochfrequenter Felder, der Erarbeitung entsprechender Konzepte und deren Überführung in die Praxis.


seit 2023 Lehrtätigkeit an der CJD Christopherus Schule in Droyßig
seit 2021 Geschäftsführer der RWInnoTec GmbH
seit 2016 wissenschaftlicher Mitarbeiter im Department Technische Biogeochemie am Helmholtz-Zentrum für Umweltforschung - UFZ
2015 wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Abteilung Wissens- und Technologietransfer am Helmholtz-Zentrum für Umweltforschung - UFZ
2014 IP-Manager IP T14 EnergyLandUse
2011 - 2015 wissenschaftlicher Mitarbeiter im Department Bioenergie am Helmholtz-Zentrum für Umweltforschung - UFZ, Leipzig
2010 - 2015 wissenschaftlicher Mitarbeiter im Department Technische Umweltchemie am Helmholtz-Zentrum für Umweltforschung - UFZ Leipzig
2007 - 2010 Promotion zum Thema „Dynamische Adsorptionsphänomene in mikroporösen Wirt/Gast-Systemen unter dem Einfluss hochfrequenter elektromagnetischer Felder“ im Department Umwelttechnologie am Helmholtz-Zentrum für Umweltforschung - UFZ Leipzig

gefördert durch ein Promotionsstipendium der Deutschen Bundesstiftung Umwelt
2001 - 2006 Physikstudium an der Universität Leipzig

Dielektrische Erwärmung

  • Konzeption, Konstruktion Bau und Optimierung technischer Anlagen vom Laobor- bis Feldmaßstab im Bereich des dielektrischen Energieeintrags
  • Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) von elektrotechnischen Anlagen
  • Erwärmung Trocknung und/oder Dekontamination von Festkörpern in der Praxis (z.B. von Bauwerken mit kulturhistorischem Schwerpunkt, Holzkonstruktionen oder Erdreich)
  • Trocknung und Dekontamination von Gasen (z.B. Wasserstoff, Biogas, Industrieabgase) mit Hilfe der Kombination von Adsorption und dielektrisch unterstützter Regeneration von Adsorbern
  • Riss- und Schlaglochsanierung von Asphaltstraßen mit Hilfe dielektrischer Erwärmungsverfahren

Simulation elektromagnetischer Felder

  • Simulation elektromagnetischer Felder mit Schwerpunkt der Optimierung elektrotechnischer Parameter
  • Simulation thermischer Effekte als Folge elektromagnetischer Feldeinkopplung
  • Simulation dynamisch gekoppelter Erwärmungsprozesse auf Grund instabiler dielektrischer Materialparameter unter dem Einflus hochfrequenter Felder

Materialien und deren Eigenschaften im hochfrequenten Feldern

  • Messung/Ermittlung dielektrischer Eigenschaften von (Misch-) Materialien und Materialschüttungen (Schwerpunkte: Materialien im Baugewerbe und Adsorber)
  • Energieeintrag in Festkörpermaterialien mit Hilfe elektromagnetischer Felder und Wellen (Schwerpunkte: Materialien im Baugewerbe und Adsorber)
  • Selektive Erwärmung von verschiedensten Stoffen (z.B. Adorbenzien und Katalysatoren) mit Hilfe dielektrischer Verfahren
  • Veränderung der dielektrischen Materialparameter durch äußere Einflüsse wir Temperatuar und Feuchte


Hochfrequenzplasma in der Flüssigphase

  • Wasserspaltung zur Wasserstoffgewinnung in Salzwasser
  • Verfahrenskonzepte zur realisierung von Hochfrequenzplasmen

Inhalt:

Weiterführende Recherchen können Sie in unserem Publikationsverzeichnis durchführen.

2023 (1)

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2021 (1)

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2011 (10)

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2010 (2)

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2009 (1)

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2008 (2)

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2007 (2)

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Publikationen vor 2015


M. Schmidt, P.J. Janse van Rensburg, W.E. Meyer and F.D. Auret,
Observation of low-temperature annealing of a primary defect in gallium nitride,
Physica B 439 64 (2014)
DOI: 10.1016/j.physb.2013.11.008

M. Schmidt, H. de Meyer, P.J. Janse van Rensburg, W.E. Meyer and F.D. Auret,
Introduction and annealing of primary defects in proton-bombarded n-GaN,
Phys. Status Solidi B 251, 211 (2014)
DOI: 10.1002/pssb.201349191

W. Mtangi, M. Schmidt, F.D. Auret, W.E. Meyer, P.J. Janse van Rensburg, M. Diale, J.M. Nel, A.G.M. Das, F.C.C. Ling and A. Chawanda,
A study of the T2 defect and the emission properties of the E3 deep level in annealed melt grown ZnO single crystals,
J. Appl. Phys. 113, 124502 (2013)
DOI: 10.1063/1.4796139

M. Schmidt, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain and M. Grundmann,
On the investigation of electronic defect states in ZnO thin films by space charge spectroscopy with optical excitation
Solid-State Electron. 75, 48 (2012)

DOI: 10.1016/j.sse.2012.04.043

M. Schmidt, M. Ellguth, R. Karsthof, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, and F.C.C. Ling,
On the T2 trap in zinc oxide thin films,
Phys. Status Solidi B 249, 588 (2012)
DOI: 10.1002/pssb.201147271

M. Schmidt, K. Brachwitz, F. Schmidt, M. Ellguth, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, and W. Skorupa,
Nickel-related defects in ZnO – A deep-level transient spectroscopy and photo-capacitance study,
Phys. Status Solidi B 248, 1949 (2011)
DOI: 10.1002/pssb.201046634

Z. Zhang, H. v. Wenckstern, M. Schmidt, and M. Grundmann,
Wavelength selective metal-semiconductor-metal photodetectors based on (Mg,Zn)O-heterostructures,
Appl. Phys. Lett. 99 083502 (2011)
DOI: 10.1063/1.3628338

A. Lajn, M. Schmidt, H. v. Wenckstern,and M. Grundmann,
Transparent rectifying contacts for visible-blind ultraviolet photo diodes based on ZnO,
J. Electr. Mat. 40, 473 (2011)
DOI: 10.1007/s11664-010-1395-x

M. Ellguth, M. Schmidt, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, and M. Grundmann,
Characterization of point defects in ZnO thin films by optical deep level transient spectroscopy,
Phys. Status Solidi B 248, 941 (2011)
DOI: 10.1002/pssb.201046244

H. v. Wenckstern, K. Brachwitz, M. Schmidt, C.P. Dietrich, M. Ellguth, M. Stölzel, M. Lorenz and M. Grundmann,
The E3 defect in MgZnO,
J. Electr. Mat. 39, 584 (2010)
DOI: 10.1007/s11664-009-0967-0

J. Chai, R.J. Mendelsberg, R.J. Reeves, J. Kennedy, H. v. Wenckstern, M. Schmidt, M. Grundmann, K. Doyle, T.H. Myers, and S.M. Durbin,
Identification of a Deep Acceptor Level in ZnO due to Silver Doping,
J. Electr. Mat. 39, 577 (2010)
DOI: 10.1007/s11664-009-1025-7

M. Schmidt, M. Ellguth, F. Schmidt, T. Lüder, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, and W. Skorupa,
Defects in a nitrogen-implanted ZnO thin film,
Phys. Status Solidi B 247, 1220 (2010)
DOI: 10.1002/pssb.200945534

M. Schmidt, M. Ellguth, C. Czekalla, H. v. Wenckstern, R. Pickenhain, M. Grundmann, G. Brauer, W. Skorupa, M. Helm, Q. Gu, and F.C.C. Ling,
Defects in zinc-implanted ZnO thin films,
J. Vac. Sci. Technol., B 27 1597, (2009)
DOI: 10.1116/1.3086659

M. Schmidt, R. Pickenhain, and M. Grundmann,
Exact solutions for the capacitance of space charge regions at semiconductor interfaces,
Solid-State Electron. 51, 1002 (2007)
DOI: 10.1016/j.sse.2007.04.004

Qualifikationsarbeiten


Dissertationsschrift (Universität Leipzig, 2012, Grad: "Dr. rer. nat"):

Space-Charge Spectroscopy applied to Defect Studies in Ion-Implanted Zinc Oxide Thin Films
(Raumladungszonenspektroskopiestudien an Kristalldefekten in ionenimplantierten Zinkoxyd Dünnfilmen)


Diplomarbeit (Universität Leipzig, 2006, Grad: "Diplom Physiker"):

Theoretische Untersuchungen zu Raumladungszonen an Halbleitergrenzflächen